Hitachi og Sagar Semi har inngått et samarbeid for å utvikle SiC/IGBT og andre enheter i fellesskap

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), et datterselskap av Hitachi Group, har signert en samarbeidsavtale med Indias Sagar Semiconductors (Sagar Semi) for i fellesskap å utføre forskning og utvikling og salg av høyeffektsenheter som IGBT og SiC, samt teknologioverføring av høyspentdioder. Sagar Semi planlegger å bygge en høyspenningskrafthalvlederfabrikk, og Hitachi Power Semiconductor har gått med på å vurdere å overføre relaterte fasiliteter og relaterte produksjonsteknologier for hele front-end- og back-end-prosessene. I tillegg vil Hitachi Power Semiconductor også hjelpe Sagar Semi med å trene sine ansatte i India og Japan. I fremtiden vil den årlige produksjonskapasiteten til fabrikken nå 100 millioner enheter. De to selskapene vil fokusere på å utvikle skreddersydde krafthalvlederløsninger som SiC/IGBT for nye teknologier i India, med fokus på industrier som hvitevarer, energilagringsløsninger og jernbaner.