Hitachi и Sagar Semi договорились о сотрудничестве для совместной разработки SiC/IGBT и других устройств

Hitachi Power Semiconductor (HPSD), дочерняя компания Hitachi Group, подписала соглашение о сотрудничестве с индийской компанией Sagar Semiconductors (Sagar Semi) для совместного проведения исследований, разработок и продаж мощных устройств, таких как IGBT и SiC, а также передача технологии высоковольтных диодов. Sagar Semi планирует построить завод по производству высоковольтных силовых полупроводников, а Hitachi Power Semiconductor согласилась рассмотреть возможность передачи соответствующих мощностей и соответствующих производственных технологий для всех производственных и конечных процессов. Кроме того, Hitachi Power Semiconductor также поможет Sagar Semi обучать своих сотрудников в Индии и Японии. В будущем годовая производственная мощность завода достигнет 100 миллионов единиц. Обе компании сосредоточатся на разработке индивидуальных силовых полупроводниковых решений, таких как SiC/IGBT, для новых технологий в Индии, уделяя особое внимание таким отраслям, как производство бытовой техники, решения для хранения энергии и железные дороги.