Infineon planuje wprowadzić na rynek niskonapięciowy MOSFET SiC o napięciu 400 V

Niedawno firma Infineon ogłosiła, że ​​wprowadzi na rynek niskonapięciowy MOSFET SiC o napięciu 400 V, mając na celu konkurowanie z tradycyjnymi półprzewodnikami mocy Si i GaN oraz zwiększenie udziału w rynku. Chociaż branża jest tym zaskoczona, ponieważ żadna firma nie opracowała wcześniej podobnych produktów, Infineon nadal angażuje się w rozwiązywanie powiązanych problemów technicznych, takich jak rezystancja kanału, kontrola zwarć, utlenianie bramki itp.