Infineon plánuje uviesť na trh 400V nízkonapäťové SiC MOSFET

Nedávno Infineon oznámil, že uvedie na trh 400V nízkonapäťový SiC MOSFET, ktorého cieľom je konkurovať tradičným Si a GaN výkonovým polovodičom a rozšíriť podiel na trhu. Hoci toto odvetvie bolo prekvapené, pretože žiadna spoločnosť predtým nevyvinula podobné produkty, Infineon je stále odhodlaný riešiť súvisiace technické problémy, ako je odolnosť kanálov, kontrola skratu, oxidácia brány atď.