Baishi Electronics gennemførte A+ finansieringsrunde for at fremskynde layoutet af tredje generation af halvlederepitaksi

Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. (herefter benævnt "Baishi Electronics") gennemførte A+-finansieringsrunden med deltagelse af mange velkendte institutioner. Produktionen af ​​tredjegenerations halvlederepitaksiale wafere vil blive fremskyndet. I øjeblikket kan virksomheden levere 6-tommer og 8-tommer SiC/GaN epitaksiale wafere, blandt hvilke 3300V siliciumcarbid epitaksiale wafere har opnået højt udbytte og høj kvalitetsproduktion.