Baishi Electronics voltooide een financieringsronde van A+ om de lay-out van halfgeleider-epitaxie van de derde generatie te versnellen

Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. (hierna "Baishi Electronics" genoemd) voltooide de A+ financieringsronde, met deelname van vele bekende instellingen. De productie van epitaxiale halfgeleiderwafels van de derde generatie zal worden versneld. Momenteel kan het bedrijf 6-inch en 8-inch SiC/GaN epitaxiale wafers leveren, waaronder 3300V siliciumcarbide epitaxiale wafers die een hoge opbrengst en productie van hoge kwaliteit hebben bereikt.