Baishi Electronics lauk A+ fjármögnunarlotu til að flýta fyrir skipulagi þriðju kynslóðar hálfleiðara epitaxy

Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. (hér eftir nefnt "Baishi Electronics") lauk A+ fjármögnunarlotunni, með þátttöku margra þekktra stofnana. Framleiðslu á þriðju kynslóðar hálfleiðurum epitaxial oblátum verður hraðað. Eins og er getur fyrirtækið útvegað 6 tommu og 8 tommu SiC/GaN epitaxial diska, þar á meðal 3300V kísilkarbíð epitaxial wafers hafa náð mikilli ávöxtun og hágæða framleiðslu.