Baishi Electronics avslutade A+ finansieringsrunda för att påskynda layouten av tredje generationens halvledarepitaxi

Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. (nedan kallat "Baishi Electronics") avslutade finansieringsrunda A+, med deltagande av många välkända institutioner. Produktionen av tredje generationens epitaxiella halvledarskivor kommer att påskyndas. För närvarande kan företaget tillhandahålla 6-tums och 8-tums SiC/GaN epitaxiella wafers, bland vilka 3300V kiselkarbid epitaxial wafers har uppnått högt utbyte och högkvalitativ produktion.