三星電子計畫在今年12月開始量產第六代10nm級DRAM

三星電子計畫在今年12月接受客戶認證並開始量產第六代10nm級DRAM。這款產品將採用尖端的極紫外線（EUV）光刻工藝，與之前的第五代10nm級產品相比，該工藝可實現更高的Net Die（每片晶圓可生產的晶片數量）並提高功率效率。