تخطط شركة Samsung Electronics لبدء الإنتاج الضخم للجيل السادس من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) من فئة 10 نانومتر في ديسمبر من هذا العام

تخطط شركة Samsung Electronics لقبول شهادة العملاء وبدء الإنتاج الضخم للجيل السادس من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) من فئة 10 نانومتر في ديسمبر من هذا العام. سيستخدم هذا المنتج عملية طباعة حجرية متطورة بالأشعة فوق البنفسجية (EUV)، والتي يمكنها تحقيق صافي قالب أعلى (عدد الرقائق التي يمكن إنتاجها لكل رقاقة) وتحسين كفاءة منتجات الجيل الخامس السابقة من فئة 10 نانومتر.