سامسونگ الکترونیکس قصد دارد تولید انبوه نسل ششم DRAM کلاس 10 نانومتری را در دسامبر سال جاری آغاز کند.

سامسونگ الکترونیکس قصد دارد گواهینامه مشتری را بپذیرد و تولید انبوه نسل ششم DRAM کلاس 10 نانومتری را در دسامبر سال جاری آغاز کند. این محصول از یک فرآیند لیتوگرافی فرابنفش فوق العاده (EUV) استفاده می کند که می تواند به Net Die بالاتری دست یابد (تعداد تراشه هایی که می توان در هر ویفر تولید کرد) و راندمان انرژی نسل پنجم قبلی را بهبود بخشید.