世界初の8インチシリコンフォトニック薄膜ニオブ酸リチウムウェーハの開発に成功

世界初の8インチシリコンフォトニック薄膜ニオブ酸リチウムウェハが九峰山研究所で開発に成功した。この成果は、8インチSOIシリコンフォトニックウェハと8インチニオブ酸リチウムウェハの接合技術を利用して光電子トランシーバ機能のモノリシック集積を実現したもので、シリコンベースの複合光電子集積化における最先端技術となる。