O primeiro wafer de niobato de lítio de filme fino fotônico de silício de 8 polegadas do mundo foi desenvolvido com sucesso

O primeiro wafer de niobato de lítio de filme fino fotônico de silício de 8 polegadas do mundo foi desenvolvido com sucesso no Laboratório Jiufengshan. Essa conquista usa a tecnologia de ligação de um wafer fotônico de silício SOI de 8 polegadas e um wafer de niobato de lítio de 8 polegadas para alcançar a integração monolítica das funções do transceptor optoeletrônico, representando a tecnologia mais avançada em integração optoeletrônica de compostos à base de silício.