インフィニオン テクノロジーズ、新世代の炭化ケイ素 (SiC) MOSFET トレンチ ゲート テクノロジーを発表

インフィニオン テクノロジーズは、新世代の炭化ケイ素 (SiC) MOSFET トレンチ ゲート テクノロジーを発表しました。これにより、MOSFET の主要な性能指標が 20% 向上し、エネルギー効率が向上し、低炭素化が促進されます。 CoolSiC MOSFET の新世代 G2 テクノロジーは、引き続き炭化ケイ素の性能上の利点を活用し、エネルギー損失を削減し、電力変換プロセスの効率を向上させます。