Infineon Technologies bringt die MOSFET-Trench-Gate-Technologie der neuen Generation aus Siliziumkarbid (SiC) auf den Markt

Infineon Technologies hat eine neue Generation der MOSFET-Trench-Gate-Technologie aus Siliziumkarbid (SiC) auf den Markt gebracht, die die wichtigsten Leistungsindikatoren von MOSFETs um 20 % verbessert und so die Energieeffizienz verbessert und eine geringe Karbonisierung fördert. Die G2-Technologie der neuen Generation von CoolSiC MOSFET wird weiterhin die Leistungsvorteile von Siliziumkarbid nutzen, Energieverluste reduzieren und die Effizienz im Stromumwandlungsprozess verbessern.