Infineon Technologies lance une technologie de grille de tranchée MOSFET en carbure de silicium (SiC) de nouvelle génération

Infineon Technologies a lancé une nouvelle génération de technologie de grille de tranchée MOSFET en carbure de silicium (SiC), qui améliore de 20 % les principaux indicateurs de performance des MOSFET, améliorant ainsi l'efficacité énergétique et favorisant une faible carbonisation. La technologie G2 de nouvelle génération de CoolSiC MOSFET continuera à tirer parti des avantages en termes de performances du carbure de silicium, à réduire les pertes d'énergie et à améliorer l'efficacité du processus de conversion de puissance.