Infineon Technologies lança tecnologia de trincheira MOSFET de carboneto de silício (SiC) de nova geração

A Infineon Technologies lançou uma nova geração de tecnologia de trincheira MOSFET de carboneto de silício (SiC), que melhora os principais indicadores de desempenho dos MOSFETs em 20%, melhorando assim a eficiência energética e promovendo a baixa carbonização. A tecnologia G2 de nova geração do CoolSiC MOSFET continuará a aproveitar as vantagens de desempenho do carboneto de silício, reduzir a perda de energia e melhorar a eficiência no processo de conversão de energia.