Infineon Technologies lanza tecnología de compuerta de zanja MOSFET de carburo de silicio (SiC) de nueva generación

Infineon Technologies ha lanzado una nueva generación de tecnología de compuerta de trinchera MOSFET de carburo de silicio (SiC), que mejora los principales indicadores de rendimiento de los MOSFET en un 20%, mejorando así la eficiencia energética y promoviendo la baja carbonización. La tecnología G2 de nueva generación de CoolSiC MOSFET seguirá aprovechando las ventajas de rendimiento del carburo de silicio, reducirá la pérdida de energía y mejorará la eficiencia en el proceso de conversión de energía.