Infineon Technologies lancia la tecnologia trench gate MOSFET al carburo di silicio (SiC) di nuova generazione

Infineon Technologies ha lanciato una nuova generazione di tecnologia trench gate MOSFET al carburo di silicio (SiC), che migliora i principali indicatori di prestazione dei MOSFET del 20%, migliorando così l'efficienza energetica e promuovendo la bassa carbonizzazione. La tecnologia G2 di nuova generazione del MOSFET CoolSiC continuerà a sfruttare i vantaggi prestazionali del carburo di silicio, ridurrà la perdita di energia e migliorerà l'efficienza nel processo di conversione di potenza.