Infineon Technologies lancéiert nei Generatioun Siliziumkarbid (SiC) MOSFET Trench Gate Technologie
Kuwa Technologie
CoolSiC
Si
MOSFET
SiC MOS
SiC MOSFET
Si
Cool
Energie
deel
Leeschtung
Leeschtung
Gate
Energieeffizienz
Technologie
Trench Gate
SiC
Effizienz
2024-12-26 04:15
0
Infineon Technologies huet eng nei Generatioun vu Siliziumkarbid (SiC) MOSFET Trench Gate Technologie lancéiert, déi d'Haaptleistungsindikatore vu MOSFETs ëm 20% verbessert, an domat d'Energieeffizienz verbessert an d'niddreg Carboniséierung fördert. CoolSiC MOSFET's nei Generatioun G2 Technologie wäert weiderhin d'Leeschtungsvirdeeler vu Siliziumkarbid profitéieren, Energieverloscht reduzéieren an d'Effizienz am Kraaftkonversiounsprozess verbesseren.
