Infineon Technologies wprowadza na rynek nową generację technologii bramek wykopowych MOSFET z węglika krzemu (SiC).

Firma Infineon Technologies wprowadziła na rynek nową generację technologii bramek rowowych MOSFET z węglika krzemu (SiC), która poprawia główne wskaźniki wydajności tranzystorów MOSFET o 20%, poprawiając w ten sposób efektywność energetyczną i promując niskoemisję dwutlenku węgla. Technologia G2 nowej generacji CoolSiC MOSFET będzie w dalszym ciągu wykorzystywać zalety wydajności węglika krzemu, zmniejszać straty energii i poprawiać wydajność w procesie konwersji mocy.