Spoločnosť Infineon Technologies uvádza na trh novú generáciu technológie zákopovej brány MOSFET z karbidu kremíka (SiC)

Spoločnosť Infineon Technologies uviedla na trh novú generáciu technológie trench gate MOSFET z karbidu kremíka (SiC), ktorá zlepšuje hlavné ukazovatele výkonu MOSFET o 20 %, čím zlepšuje energetickú účinnosť a podporuje nízku karbonizáciu. Technológia CoolSiC MOSFET novej generácie G2 bude naďalej využívať výkonnostné výhody karbidu kremíka, znižovať straty energie a zvyšovať efektivitu procesu premeny energie.