Infineon Technologies uvádí na trh novou generaci technologie MOSFET z karbidu křemíku (SiC)

Společnost Infineon Technologies uvedla na trh novou generaci technologie MOSFET z karbidu křemíku (SiC), která zlepšuje hlavní výkonnostní ukazatele MOSFETů o 20 %, čímž zlepšuje energetickou účinnost a podporuje nízkou karbonizaci. Technologie CoolSiC MOSFET nové generace G2 bude i nadále využívat výkonnostní výhody karbidu křemíku, snižovat energetické ztráty a zlepšovat efektivitu procesu přeměny energie.