Az Infineon Technologies bemutatja az új generációs szilícium-karbid (SiC) MOSFET árokkapu technológiát

Az Infineon Technologies piacra dobta a szilícium-karbid (SiC) MOSFET árokkapu technológiájának új generációját, amely 20%-kal javítja a MOSFET-ek fő teljesítménymutatóit, ezáltal javítja az energiahatékonyságot és elősegíti az alacsony karbonizációt. A CoolSiC MOSFET új generációs G2 technológiája továbbra is kihasználja a szilícium-karbid teljesítménybeli előnyeit, csökkenti az energiaveszteséget és javítja az energiaátalakítási folyamat hatékonyságát.