Infineon Technologies запускає технологію карбіду кремнію (SiC) MOSFET tranch gate нового покоління
2024-12-26 04:16
0
Infineon Technologies випустила нове покоління MOSFET карбіду кремнію (SiC), що покращує основні показники продуктивності MOSFET на 20%, таким чином підвищуючи енергоефективність і сприяючи низькому карбонізації. Технологія CoolSiC MOSFET нового покоління G2 продовжить використовувати переваги продуктивності карбіду кремнію, зменшувати втрати енергії та підвищувати ефективність процесу перетворення енергії.
