Infineon Technologies သည် မျိုးဆက်သစ် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) MOSFET ကတုတ်ကျင်းတံခါးနည်းပညာကို မိတ်ဆက်ခဲ့သည်။

Infineon Technologies သည် MOSFET ၏ ပင်မစွမ်းဆောင်ရည်ညွှန်းကိန်းများကို 20% မြှင့်တင်ပေးသည့် မျိုးဆက်သစ် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) MOSFET ကတုတ်ကျင်းတံခါးနည်းပညာကို မိတ်ဆက်ခဲ့ပြီး စွမ်းအင်ထိရောက်မှုနှင့် ကာဗွန်ဓာတ်ငွေ့နည်းခြင်းကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ CoolSiC MOSFET ၏ မျိုးဆက်သစ် G2 နည်းပညာသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ စွမ်းဆောင်ရည် အားသာချက်များကို ဆက်လက် လွှမ်းမိုးနိုင်မည်ဖြစ်ပြီး စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချကာ ပါဝါကူးပြောင်းမှု လုပ်ငန်းစဉ်တွင် ထိရောက်မှု တိုးတက်စေမည်ဖြစ်သည်။