इन्फिनियन टेक्नोलॉजीज ने नई पीढ़ी की सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) MOSFET ट्रेंच गेट तकनीक लॉन्च की

इन्फिनियन टेक्नोलॉजीज ने सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) MOSFET ट्रेंच गेट तकनीक की एक नई पीढ़ी लॉन्च की है, जो MOSFETs के मुख्य प्रदर्शन संकेतकों को 20% तक सुधारती है, इस प्रकार ऊर्जा दक्षता में सुधार करती है और कम-कार्बोनाइजेशन को बढ़ावा देती है। CoolSiC MOSFET की नई पीढ़ी की G2 तकनीक सिलिकॉन कार्बाइड के प्रदर्शन लाभों का लाभ उठाना, ऊर्जा हानि को कम करना और बिजली रूपांतरण प्रक्रिया में दक्षता में सुधार करना जारी रखेगी।