Infineon Technologies ra mắt công nghệ cổng rãnh MOSFET silicon cacbua (SiC) thế hệ mới

Infineon Technologies đã ra mắt công nghệ cổng rãnh MOSFET silicon cacbua (SiC) thế hệ mới, giúp cải thiện 20% các chỉ số hiệu suất chính của MOSFET, từ đó cải thiện hiệu quả sử dụng năng lượng và thúc đẩy quá trình cacbon hóa thấp. Công nghệ G2 thế hệ mới của CoolSiC MOSFET sẽ tiếp tục phát huy những ưu điểm về hiệu suất của cacbua silic, giảm tổn thất năng lượng và nâng cao hiệu quả trong quá trình chuyển đổi năng lượng.