Infineon Technologies meluncurkan teknologi gerbang parit MOSFET silikon karbida (SiC) generasi baru
peredam kejut
MOSFET
meningkatkan
proses
ban
besar
Teknologi
meningkatkan
kehilangan
besar
efisiensi
2024-12-26 04:16
0
Infineon Technologies telah meluncurkan teknologi gerbang parit MOSFET silikon karbida (SiC) generasi baru, yang meningkatkan indikator kinerja utama MOSFET sebesar 20%, sehingga meningkatkan efisiensi energi dan mendorong rendah karbonisasi. Teknologi G2 generasi baru CoolSiC MOSFET akan terus memanfaatkan keunggulan kinerja silikon karbida, mengurangi kehilangan energi, dan meningkatkan efisiensi dalam proses konversi daya.
