Infineon Technologies melancarkan teknologi gerbang parit MOSFET silikon karbida (SiC) generasi baharu

Infineon Technologies telah melancarkan teknologi get parit MOSFET silikon karbida (SiC) generasi baharu, yang meningkatkan penunjuk prestasi utama MOSFET sebanyak 20%, sekali gus meningkatkan kecekapan tenaga dan menggalakkan pengkarbonan rendah. Teknologi G2 generasi baharu CoolSiC MOSFET akan terus memanfaatkan kelebihan prestasi silikon karbida, mengurangkan kehilangan tenaga dan meningkatkan kecekapan dalam proses penukaran kuasa.