Infineon Technologies משיקה דור חדש של סיליקון קרביד (SiC) טכנולוגיית שער תעלה MOSFET

Infineon Technologies השיקה דור חדש של טכנולוגיית שער תעלות MOSFET של סיליקון קרביד (SiC), המשפרת את מדדי הביצועים העיקריים של MOSFETs ב-20%, ובכך משפרת את יעילות האנרגיה ומקדמת פחמימה נמוכה. טכנולוגיית ה-G2 מהדור החדש של CoolSiC MOSFET תמשיך למנף את יתרונות הביצועים של סיליקון קרביד, להפחית את איבוד האנרגיה ולשפר את היעילות בתהליך המרת הכוח.