فنآوریهای Infineon نسل جدید فناوری گیت ترانشه ماسفت سیلیکون کاربید (SiC) را راهاندازی میکند.

0
فنآوریهای Infineon نسل جدیدی از فناوری دروازه ترانشه ماسفت کاربید سیلیکون (SiC) را راهاندازی کرده است که شاخصهای عملکرد اصلی ماسفتها را تا 20 درصد بهبود میبخشد و در نتیجه بهرهوری انرژی را بهبود میبخشد و کربنسازی پایین را ترویج میکند. نسل جدید فناوری G2 CoolSiC MOSFET به استفاده از مزایای عملکرد کاربید سیلیکون، کاهش اتلاف انرژی و بهبود کارایی در فرآیند تبدیل نیرو ادامه خواهد داد.