ROHM arbeitet mit Toshiba zusammen, um Siliziumkarbid- und Silizium-Leistungshalbleiterbauelemente herzustellen

Rohm und Toshiba gaben bekannt, dass sie mit Unterstützung der japanischen Regierung bei der Herstellung von Leistungshalbleiterbauelementen aus Siliziumkarbid (SiC) und Silizium (Si) zusammenarbeiten werden. Das Projekt zielt darauf ab, die Versorgungskapazität zu verbessern, mit einer Gesamtinvestition von 388,3 Milliarden Yen, wovon 129,4 Milliarden Yen von der Regierung unterstützt werden.