ROHM s'associe à Toshiba pour produire des dispositifs en carbure de silicium et à semi-conducteurs de puissance en silicium

Rohm et Toshiba ont annoncé qu'ils coopéreraient pour produire des dispositifs semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) et en silicium (Si), avec le soutien du gouvernement japonais. Le projet vise à améliorer la capacité d'approvisionnement, avec un investissement total de 388,3 milliards de yens, dont 129,4 milliards de yens sont soutenus par le gouvernement.