ROHM faz parceria com a Toshiba para produzir dispositivos de carboneto de silício e semicondutores de potência de silício

Rohm e Toshiba anunciaram que cooperarão para produzir dispositivos semicondutores de potência de carboneto de silício (SiC) e silício (Si), com o apoio do governo japonês. O projecto visa melhorar a capacidade de oferta, com um investimento total de 388,3 mil milhões de ienes, dos quais 129,4 mil milhões de ienes são apoiados pelo governo.