ROHM samarbejder med Toshiba om at producere siliciumcarbid og siliciumkrafthalvlederenheder

Rohm og Toshiba meddelte, at de vil samarbejde om at producere siliciumcarbid (SiC) og silicium (Si) krafthalvlederenheder med støtte fra den japanske regering. Projektet sigter mod at forbedre forsyningskapaciteten med en samlet investering på 388,3 milliarder yen, hvoraf 129,4 milliarder yen støttes af regeringen.