ROHM werkt samen met Toshiba om siliciumcarbide- en siliciumvermogenhalfgeleiderapparaten te produceren

Rohm en Toshiba hebben aangekondigd dat ze zullen samenwerken om siliciumcarbide (SiC) en silicium (Si) vermogenshalfgeleiderapparaten te produceren, met steun van de Japanse overheid. Het project heeft tot doel de aanbodcapaciteit te verbeteren, met een totale investering van 388,3 miljard yen, waarvan 129,4 miljard yen wordt ondersteund door de overheid.