ROHM se asocia con Toshiba para producir dispositivos semiconductores de potencia de silicio y carburo de silicio

Rohm y Toshiba anunciaron que cooperarán para producir dispositivos semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC) y silicio (Si), con el apoyo del gobierno japonés. El proyecto tiene como objetivo mejorar la capacidad de oferta, con una inversión total de 388,3 mil millones de yenes, de los cuales 129,4 mil millones de yenes son apoyados por el gobierno.