ROHM collabora con Toshiba per produrre dispositivi a semiconduttore di potenza in carburo di silicio

Rohm e Toshiba hanno annunciato che collaboreranno per produrre dispositivi semiconduttori di potenza in carburo di silicio (SiC) e silicio (Si), con il sostegno del governo giapponese. Il progetto mira a migliorare la capacità di approvvigionamento, con un investimento totale di 388,3 miliardi di yen, di cui 129,4 miliardi di yen sostenuti dal governo.