ROHM sodeluje s Toshibo za proizvodnjo polprevodniških naprav iz silicijevega karbida in silicija

Rohm in Toshiba sta napovedala, da bosta sodelovala pri proizvodnji napajalnih polprevodniških naprav iz silicijevega karbida (SiC) in silicija (Si) s podporo japonske vlade. Cilj projekta je izboljšati oskrbovalno zmogljivost s skupno naložbo v višini 388,3 milijarde jenov, od tega 129,4 milijarde jenov podpira vlada.