ROHM си партнира с Toshiba за производство на силициево-карбидни и силициеви силови полупроводникови устройства

Rohm и Toshiba обявиха, че ще си сътрудничат за производството на силови полупроводникови устройства от силициев карбид (SiC) и силиций (Si), с подкрепата на японското правителство. Проектът има за цел да подобри капацитета за доставки с обща инвестиция от 388,3 милиарда йени, от които 129,4 милиарда йени се подкрепят от правителството.