A Rohm a Toshibával együttműködve szilícium-karbid és szilícium teljesítmény-félvezető eszközöket gyárt

A Rohm és a Toshiba bejelentette, hogy együttműködnek szilícium-karbid (SiC) és szilícium (Si) teljesítmény-félvezető eszközök előállításában, a japán kormány támogatásával. A projekt célja az ellátási kapacitás javítása, összesen 388,3 milliárd jen beruházással, amelyből 129,4 milliárd jent támogat a kormány.