ROHM співпрацює з Toshiba для виробництва карбіду кремнію та кремнієвих силових напівпровідникових пристроїв

Rohm і Toshiba оголосили, що вони співпрацюватимуть у виробництві силових напівпровідникових пристроїв з карбіду кремнію (SiC) і кремнію (Si) за підтримки уряду Японії. Проект спрямований на покращення потужностей поставок із загальним обсягом інвестицій у 388,3 мільярда ієн, з яких 129,4 мільярда єн підтримує уряд.