ROHM bendradarbiauja su „Toshiba“, kad gamintų silicio karbido ir silicio galios puslaidininkinius įrenginius

„Rohm“ ir „Toshiba“ paskelbė, kad bendradarbiaus gamindami silicio karbido (SiC) ir silicio (Si) galios puslaidininkinius įrenginius, remiami Japonijos vyriausybės. Projektu siekiama pagerinti tiekimo pajėgumus, iš viso investuojant 388,3 mlrd. jenų, iš kurių 129,4 mlrd. jenų remia vyriausybė.