江西罡豐科技年產40萬片SiC襯底計畫環評公示

江西罡豐科技近期發表了其年產40萬片第三代半導體基板外延建設計畫（第一期）的環評資訊。該項目佔地83060.76平方米，總投資45億元，旨在建造SiC半導體基板生產線及相關廠房設施。工程完成後，預計將具備年產40萬片第三代半導體基板外延的生產能力。江西罡豐表示，此舉旨在滿足市場對高性能半導體基板材料的需求，並推動該公司在半導體領域的技術創新和產業升級。