Jiangxi Gangfeng Technologyの年間生産能力40万枚のSiC基板プロジェクトの環境影響評価を発表

江西港豊科技はこのほど、年間生産量40万枚の第3世代半導体基板エピタキシャル建設プロジェクト（第1期）の環境影響評価情報を発表した。このプロジェクトの敷地面積は83,060.76平方メートル、総投資額は45億元で、SiC半導体基板の生産ラインと関連工場設備の建設を目的としている。プロジェクト完了後は、第3世代半導体基板エピタキシーの年間生産能力40万枚が見込まれる。江西港峰は、今回の動きは高性能半導体基板材料に対する市場の需要に応え、半導体分野における同社の技術革新と産業の高度化を促進することを目的としていると述べた。