El dispositivo MOSFET de SiC de 1200 V/40 mΩ de NARI Semiconductor obtuvo la certificación de grado automotriz AEC-Q101

El 16 de enero, Nari Semiconductor anunció que su dispositivo MOSFET de SiC de 1200 V/40 mΩ desarrollado de forma independiente pasó con éxito la certificación de confiabilidad de grado automotriz AEC-Q101, lo que marca que la calidad del producto de Nari Semiconductor ha alcanzado el nivel líder en el mundo.