Il dispositivo MOSFET SiC da 1200 V/40 mΩ di NARI Semiconductor ha superato la certificazione di grado automobilistico AEC-Q101

Il 16 gennaio, Nari Semiconductor ha annunciato che il suo dispositivo MOSFET SiC da 1200 V/40 mΩ sviluppato in modo indipendente ha superato con successo la certificazione di affidabilità di grado automobilistico AEC-Q101, indicando che la qualità dei prodotti Nari Semiconductor ha raggiunto il livello leader a livello mondiale.