纳芯微碳化硅MOSFET产品特点介绍

2024-04-18 07:30
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纳芯微的碳化硅MOSFET产品NPC060N120A具有以下特点:更宽的栅极驱动电压范围(-8~22V),支持+15V和+18V驱动模式;在+18V模式下,RDSon可降低20%;出色的阈值电压一致性,Vth在25°C~175°C范围内保持在2.0V~2.8V之间;体二极管正向压降非常低且稳健性高;100%的雪崩测试,提高了整体可靠性,抗冲击能力强。