纳芯微碳化硅MOSFET产品特点介绍
MOSFET
OS
测试
栅极
可靠性
纳芯微
驱动
电压
二极管
碳化硅
正向
2024-04-18 07:30
0
纳芯微的碳化硅MOSFET产品NPC060N120A具有以下特点:更宽的栅极驱动电压范围(-8~22V),支持+15V和+18V驱动模式;在+18V模式下,RDSon可降低20%;出色的阈值电压一致性,Vth在25°C~175°C范围内保持在2.0V~2.8V之间;体二极管正向压降非常低且稳健性高;100%的雪崩测试,提高了整体可靠性,抗冲击能力强。
Prev:Axcelis向全球领先碳化硅功率器件制造商交付多批离子注入器
Next:安森美在新罕布什尔州和捷克共和国扩建碳化硅工厂
快报
一手资料
数据
个人中心