Hebei Puxing Electronic Technology запускает проект индустриализации эпитаксиальных пластин из карбида кремния с низкой плотностью дефектов и 6-дюймовых пластин

Компания Hebei Puxing Electronic Technology Co., Ltd. объявила о запуске «проекта индустриализации 6-дюймовых дефектных эпитаксиальных пластин из карбида кремния низкой плотности». В рамках проекта будет проведено первое раскрытие информации об оценке воздействия на окружающую среду. Общий объем инвестиций в проект достигнет 350,7016 млн юаней. Он будет отремонтирован и расширен на заводе № 1 компании площадью около 4000 квадратных метров, где будет установлено 116 комплектов (комплектов) эпитаксиального оборудования из карбида кремния (SiC). Будет закуплено вспомогательное оборудование для создания 6-дюймовой линии по производству эпитаксиальных материалов SiC с дефектами низкой плотности. Ожидается, что после завершения проекта годовая производственная мощность составит 240 000 эпитаксиальных пластин SiC.